WaferPro,硅熱氧化硅片 (SiO2),2″ 到 300mm硅片,WaferPro進口代理,WaferPro 提供高質量的硅熱氧化硅片，尺寸范圍從 2″ 到 300mm。我們通過選擇優質且無缺陷的硅片作為基板，確保滿足您的特定要求，從而在爐中形成高均勻性的熱氧化層。
硅熱氧化硅片 (SiO2)
WaferPro 提供高質量的硅熱氧化硅片，尺寸范圍從 2″ 到 300mm。我們通過選擇優質且無缺陷的硅片作為基板，確保滿足您的特定要求，從而在爐中形成高均勻性的熱氧化層。
在微技術中，主要的絕緣材料是二氧化硅（SiO2）。為了生成絕緣的氧化層，使用熱氧化工藝，這是最常用的獲得氧化層的方法。該過程在爐中進行。
任何數量的訂單都可以下，最小批量為 25 片硅片。
熱氧化類型
在該方法中，氫氣和高純度氧氣的混合物在約 1000°C 的溫度下燃燒，產生水蒸氣。雖然這種方法可能不會生產出非常高質量的最終產品，并且可能僅用作掩膜層，但它的優勢在于其比干氧化產生更高的生長速率。
濕法熱氧化（雙面氧化）
- 薄膜厚度：500? – 10μm（雙面）
- 薄膜厚度公差：目標值 ±5%
- 薄膜應力：-320±50 MPa（壓縮）
濕法熱氧化（單面氧化）
- 薄膜厚度：500? – 10,000?（單面）
- 薄膜厚度公差：目標值 ±5%
- 薄膜應力：-320±50 MPa（壓縮）
干法熱氧化（雙面氧化）
- 薄膜厚度：100? – 3,000?（雙面）
- 薄膜厚度公差：目標值 ±5%
- 薄膜應力：-320±50 MPa（壓縮）
干法熱氧化（單面氧化）
- 薄膜厚度：100? – 3,000?（單面）
- 薄膜厚度公差：目標值 ±5%
- 薄膜應力：-320±50 MPa（壓縮）
干氯化熱氧化與形成氣體退火
- 薄膜厚度：100? – 3,000?（雙面）
- 薄膜厚度公差：目標值 ±5%
- 薄膜應力：-320±50 MPa（壓縮）
- 處理方式：雙面處理
硅熱氧化硅片的關鍵應用
以下是一些帶有熱氧化層硅片的關鍵應用領域：
集成電路
使用熱氧化硅片制造的柵氧化層、場氧化層、金屬間介質層。MEMS（微機電系統）
熱氧化層為 MEMS 設備提供出色的電氣隔離。光電子學
熱氧化用于硅光子學中的電氣/光學隔離層。功率器件
熱氧化層為高壓功率電子器件提供介電隔離。輻射硬化
退火后的熱氧化層幫助減輕航天集成電路中的輻射損傷。鈍化
熱氧化層具有優越的界面特性，非常適合用于芯片的鈍化層。擴散掩膜
作為擴散屏障，在器件制造中用于選擇性摻雜/植入步驟。氣體傳感
多孔熱氧化膜的反應性氣體滲透性使其能夠用于化學電阻式傳感器。生物傳感器
使表面能夠進行生物功能化，以選擇性地親和目標分析物。
定制熱氧化薄膜
WaferPro 提供單面和雙面熱氧化硅片，以滿足各種應用需求。
我們的標準產品是雙面氧化硅片，經過控制的熱氧化處理，硅基板兩面形成均勻的二氧化硅層。然而，我們也提供定制的單面氧化硅片，根據您的特定需求量身定制。這些單面氧化硅片從雙面氧化硅片開始，通過使用緩沖氟化氫酸蝕刻劑選擇性地去除一面二氧化硅層。
這種靈活的氧化硅片制造方式使我們能夠提供少量批次的單面和雙面氧化硅片組合。無論您是需要用于工藝開發、材料分析，還是大批量生產，我們都能提供適合您應用的精確氧化硅片配置。
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