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絕緣體上硅 (SOI) 晶圓
WaferPro?現(xiàn)提供高質(zhì)量的絕緣體上硅（SOI）晶圓，進(jìn)一步擴(kuò)展了我們?nèi)娴墓杈A產(chǎn)品線。我們頂級(jí)的 SOI 晶圓針對(duì)從傳感器到功率組件的多種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
與 CMOS 器件相比，基于 SOI 晶圓制造的芯片速度提高了 30%，功耗降低了 80%。SOI 結(jié)構(gòu)由三層組成：用于晶體管制造的上層有源器件層、埋氧層（BOX）絕緣層以及底層支撐晶圓層。
埋氧層（BOX）隔離了精密器件，使其免受環(huán)境干擾，同時(shí)提升了性能。構(gòu)建在上層器件層中的晶體管推動(dòng)了 SOI 技術(shù)的速度和效率提升。它們支持復(fù)雜的節(jié)能配置，并減少了宇宙射線或輻射造成的數(shù)據(jù)丟失。
隨著 SOI 晶圓的加入，WaferPro 現(xiàn)在為追求下一代創(chuàng)新的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和制造商提供了這一先進(jìn)的基板選擇。我們的 SOI 晶圓將尖端設(shè)計(jì)潛力與經(jīng)過驗(yàn)證的晶圓制造質(zhì)量相結(jié)合。
SOI 晶圓的類型
定制化是 WaferPro 的重要基石，我們始終盡力滿足您的所有需求。基于這一理念，WaferPro 提供以下類型的 SOI 晶圓：
- 厚膜 SOI 晶圓
此類晶圓的器件厚度為 1μm 至 300μm。 - 超薄 SOI 晶圓
此類晶圓的器件厚度小于 500nm。 - 超高均勻性 SOI 晶圓
器件厚度的均勻性可低至厚膜 SOI 的 ±0.5μm 和超薄 SOI 的 ±10nm。 - 超平坦 SOI 晶圓
此類 SOI 晶圓具有極低的彎曲度（BOW）/翹曲度（WARP）/總厚度變化（TTV），適用于特定應(yīng)用。
SOI 硅片的主要應(yīng)用
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 描述 |
|---|---|
| 低功耗集成電路 | SOI 技術(shù)使得制造低泄漏、低功耗的集成電路成為可能，適用于移動(dòng)設(shè)備。 |
| 高速電子器件 | 超高速開關(guān) RF SOI 器件用于 5G、WiFi 6 和雷達(dá)通信系統(tǒng)。 |
| 低噪聲放大器 | SOI 硅片非常適合制造超低噪聲的中頻（IF）、射頻（RF）半導(dǎo)體放大器。 |
| 汽車電子 | 堅(jiān)固耐用的 SOI 芯片滿足汽車電子的可靠性和溫度要求。 |
| 光子學(xué) | SOI 硅片適用于將電子學(xué)與光子學(xué)集成，用于光學(xué)收發(fā)器和傳感器。 |
| MEMS | SOI 硅片適合用于特殊的 MEMS 加速度計(jì)、陀螺儀等器件的基板。 |
| 航天集成電路 | 優(yōu)異的輻射硬度和寬溫度耐受性，適用于航天電子器件。 |
| 生物醫(yī)學(xué) | 采用 SOI 微機(jī)械加工制造的一次性生物傳感器和 DNA 微陣列。 |
| 智能電力 | 將高電壓電力器件與控制邏輯集成在 SOI 硅片上。 |
我們的能力
SOI 硅片具有極高的定制性，參數(shù)可以根據(jù)您的需求靈活調(diào)整。
| 規(guī)格 | 參數(shù) |
|---|---|
| SOI 硅片直徑 | 2” (50.8mm)、3” (76.2mm)、4” (100mm)、5” (125mm)、6” (150mm)、8” (200mm) |
| 器件層類型 | P型、N型、本征型 |
| 摻雜劑 | 硼 (B)、磷 (Ph)、未摻雜 |
| 取向 | (1-0-0)、(1-1-1) |
| 電阻率 (Ω·cm) | 0.001 – 10,000+ |
| 厚度 (μm) | 0.05 – 300 |
| 均勻性 | ± 10nm、± 0.5μm、± 1μm |
| BOX 層厚度 | 1,000A – 3μm |
| BOX 均勻性 | ≤ ± 5% |
| 承載層類型 | P型、N型、本征型 |
| 摻雜劑 | 硼 (B)、磷 (Ph)、未摻雜 |
| 取向 | (1-0-0)、(1-1-1) |
| 電阻率 (Ω·cm) | 0.001 – 10,000+ |
| 厚度 (μm) | 200 – 750 |
| 均勻性 | ≤ ± 15 |
| 表面處理 | SSP（單面拋光）、DSP（雙面拋光） |
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