這些濺射源是為滿足尖端研發設施和生產設置的需求而定制的，每次都能提供可靠性和精度。
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直流濺射
也稱為直流二極管濺射，它是最基本的濺射類型。電離的氬陽離子通過使用負偏置電壓加速向陰極移動。當氬氣與陰極（放置目標材料的位置）碰撞時，來自目標源的物質被噴射出來，隨后沉積在基板上。
射頻濺射
它非常適合用于電絕緣或介電目標材料或基板，例如陶瓷。它允許使用比直流氬氣低得多的氬氣壓力（1-15 mTorr vs 100 mTorr），這反過來又降低了氣體雜質和腔室中的濃度，同時由于氣體碰撞減少，還改善了沉積的視線
磁控濺
這種濺射特性通過將離子和電子集中在陰極上方的受限區域，大大提高了濺射速率。通過使用磁場將電子捕獲在靶材附近，氬氣的電離大大增加，同時還將氣壓進一步降低到 0.5 mTorr，從而進一步改善沉積的視線。
上述特性提高了沉積速率，減少了涂層的雜質，并允許在較低的基材溫度下進行沉積。這種類型的濺射可以與 DC 或 RF 電源結合使用。
特征
- 寬均勻的侵蝕區域導致穩定的作，最小的分布和均勻性/速率變化貫穿整個目標生命周期。
- 主動等離子體放電在幾乎整個目標表面保持目標清潔并減少導致電弧的絕緣膜生長。
- 增加所需定期維護頻率的外部歧管和其他等離子干擾硬件是不必要的。
- 提供 2 英寸直徑的目標。
- 內部和法蘭安裝配置。
- 可用于 DC、脈沖 DC、RF 模式。
- 70-90 W t% 目標利用率
- 在低壓和溫度下完全隨機計量的介電材料。
- 由于廣泛的侵蝕區域和高效的冷卻，提高了20%的比率。
機械規格表
| 型 | 頭戴式 | 目標 Diam | 目標厚度 | 磁性材料 | 尺寸 A | 尺寸 B | 尺寸 C | 尺寸 E | 尺寸 D |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT02 系列 | 軸的 | 1.0″ （25.4 毫米） | 2 毫米 | 是的 | 41.4 毫米 | 44.5 毫米 | 80 毫米 | 110 毫米 | 180 毫米 |
| GT20 | 軸的 | 1.0″ （25.4 毫米） | 2 毫米 | 是的 | 41.4 毫米 | 44.4 毫米 | 80 毫米 | 110 毫米 | 110 毫米 |
技術規格
| 標題 | GT02 系列 | GT20 |
|---|---|---|
| 直徑 | 2.0 英寸（50.8 毫米） | 2.0 英寸（50.8 毫米） |
| 厚度 | 非磁性目標高達 1/4 英寸;最大 1/16 英寸，用于磁性目標 | 非磁性目標高達 1/4 英寸;最大 1/16 英寸，用于磁性目標 |
| 利用 | 最高 70% | 最高 70% |
| 等離子體源 | 直流（最大）250 W | 直流（最大）250 W |
| RF（最大）300 W | RF（最大）300 W | |
| 水冷 （必需） | 流速要求：1/2 GPM，過濾 | 流速要求：1/2 GPM，過濾 |
| 進水溫度： <20 C | 進水溫度： <20 C | |
| 水鉤：0.25“ 外徑管。 | 水鉤：0.25“ 外徑管。 | |
| 請告知我們您的冷水機的管尺寸，我們可以為您預先安裝配件，但需額外付費。 | 請告知我們您的冷水機的管尺寸，我們可以為您預先安裝配件，但需額外付費。 | |
| 水連接： | 0.25 英寸氣動管 | 0.25 英寸氣動管 |
| 電氣連接器： | 標準 N 型（DC 和 RF） | 標準 N 型（DC 和 RF） |
| 保證 | 一年有限，終身支持 | 一年有限，終身支持 |
| 帶饋入裝置的真空法蘭（可選） | 可根據要求提供帶高真空饋入裝置的 6“ CF 法蘭，但需額外付費。濺射頭可以通過快速斷開器輕松安裝在 6 英寸 CF 真空法蘭上。濺射槍的高度位置可以在真空室內手動調整。 | 可根據要求提供帶高真空饋入裝置的 6“ CF 法蘭，但需額外付費。濺射頭可以通過快速斷開器輕松安裝在 6 英寸 CF 真空法蘭上。濺射槍的高度位置可以在真空室內手動調整。 |
| 凈重 | 3.5 磅 | 5.5 磅 |
