Terasense太赫茲源

TeraSense系列太赫茲源（IMPATT二極管）?采用硅雙漂移二極管設計，具有0.6微米的過渡區域，并安裝在銅散熱器上。雙漂移二極管的層結構包括：重摻雜（p+）區、中等摻雜（p）區、中等摻雜（n）區和重摻雜（n+）區。（p+）區和（n+）區允許與外部電路形成歐姆電接觸。該器件依靠負電阻來生成和維持振蕩。

TeraSense?現在推出了升級版的太赫茲源。升級后的IMPATT二極管配備了保護性隔離器，顯著提高了輸出功率的穩定性。從現在起，您可以選擇帶有開放式WR法蘭或可拆卸喇叭天線的IMPATT二極管。在優化頻率@100 GHz下，太赫茲源的典型射頻輸出功率可達2 W。

Terasense太赫茲源主要特點:
IMPATT技術：基于IMPATT二極管，能夠生成高功率的太赫茲信號。適用于0.1 THz至0.3 THz的亞太赫茲頻率范圍。
GaAs肖特基技術：基于GaAs肖特基二極管，提供高效率和穩定的信號輸出。適用于更高頻率范圍（如600 GHz）。
可選頻率：提供100 GHz、140 GHz、200 GHz、300 GHz和600 GHz等多種頻率。
高輸出功率：輸出功率高達2 W，適用于多種應用場景。
計算機控制衰減：支持計算機控制的信號衰減，便于精確調節輸出功率。
低成本且緊湊：設備成本低，尺寸緊湊，便于集成到現有系統中。
1年保修：提供1年保修服務，確保設備長期穩定運行。

此外，TeraSense太赫茲源還具有符合人體工程學的設計和易于使用的特點。?公司還可以選擇提供帶有衰減器和開關部分的太赫茲發生器。

Terasense太赫茲源主要型號：