Silicon Valley Microelectronics SVM 磷/銻/砷摻雜劑的 N 型晶圓
Silicon Valley Microelectronics 提供各種帶有磷/銻/砷摻雜劑的 N 型晶圓,直徑從 50mm 到 300mm 不等。
N 型晶圓
純硅不導電,因此很少用作半導體。為了將純硅制成實用的半導體,必須添加一定量的雜質。雜質的加入會改變導電性,使硅變成半導體。向本征或純材料中添加雜質的過程稱為摻雜,雜質稱為摻雜劑。摻雜后,本征材料成為外征材料。實際上,只有在摻雜之后,這些材料才能使用。
當雜質原子添加到硅中而不改變晶體結構時,會產生 N 型材料。在某些原子中,電子的價帶中有五個電子,例如磷 (P)、砷 (As) 和銻 (Sb)。用任何一種雜質摻雜硅都不得改變晶體結構或鍵合過程。雜質原子的額外電子不參與共價鍵合,因此可以自由移動。只需要非常少量的雜質即可產生足夠的自由電子,使電流流過硅。N 型硅是良導體。電子帶負電荷,因此得名 N 型。下圖顯示了添加雜質原子后硅晶體的變化。
由于 N 型硅的導電性能,它被廣泛用于功率器件、二極管和晶體管等許多應用。
直徑:76mm/100mm/125mm | 直徑:200mm | 直徑:300mm |
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硅片 | 硅片 | 硅片 |
類型/摻雜劑:N – Phos/Sb/As | 類型/摻雜劑:N – Phos/Sb/As | 類型/摻雜劑:N – Phos/Sb/As |
方向: <100> | 方向: <100> | 方向: <100> |
電阻率:0-100 ohm-cm | 電阻率:0-100 ohm-cm | 電阻率:0-100 ohm-cm |
厚度:381μm/525μm/625μm +/- 20μm | 厚度:725μm +/- 20μm | 厚度:775μm +/- 20μm |
TTV:< 10μm | TTV:< 5μm | TTV:< 5μm |
平面:1 或 2/ SEMI 標準 | 缺口:SEMI 標準 | 缺口:SEMI 標準 |
單面拋光 | 單面拋光 | 雙面拋光 |
顆粒 (LPD):<=20@>=0.3 微米 | 顆粒 (LPD):<=50@>=0.2um | 顆粒 (LPD):<=50@>=0.2um |