Silicon Valley Microelectronics SVM 浮區(qū)（FZ）晶圓
Silicon Valley Microelectronics 提供直徑從 50mm 到 200mm 不等的浮區(qū) （FZ） 晶圓。這些晶圓具有低濃度的雜質(zhì)和耐高溫能力。FZ 晶圓的特性使其在各種應(yīng)用中都優(yōu)于 CZ 晶圓。
SVM Float Zone 晶圓樣品規(guī)格：
- FZ 晶圓
- 直徑：50mm、76mm、100mm、125mm、150mm、200mm
- 類型/摻雜劑：N/磷、P/硼、本征
- 方向： <100>， <110>， <111>
- 電阻率：<5 ohm-cm 至 >10,000 ohm-cm – SVM 可以為 FZ 晶圓提供多種電阻率范圍。
- 厚度：每種直徑均提供 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)厚度，可根據(jù)要求提供定制厚度。
- 平面：1 / SEMI 標(biāo)準(zhǔn) – 取決于給定直徑的 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)。
- TTV：< 5μm
- 正面：拋光
- 背面：蝕刻或拋光 – 兩者都可用，具體取決于其他項(xiàng)目規(guī)格。
Float Zone 晶圓制造
浮區(qū)晶圓 （FZ） 是czochralski （CZ） 晶圓純度高。這些晶片具有低濃度的雜質(zhì)和耐高溫能力。FZ 晶圓的特性使其在各種應(yīng)用中都優(yōu)于 CZ 晶圓。FZ 生長過程從硅錠開始，硅錠緩慢旋轉(zhuǎn)并穿過加熱元件。當(dāng)加熱元件沿鑄錠移動(dòng)時(shí)，鑄錠的一部分被部分熔化。隨著硅的重新凝固，當(dāng)加熱元件繼續(xù)旋轉(zhuǎn)并沿著硅錠移動(dòng)時(shí)，缺陷仍然存在于熔化部分。整個(gè)鑄錠通過加熱元件并加入摻雜劑后，冷卻切片。整個(gè)生長過程要么在真空中進(jìn)行，要么在僅包含惰性氣體的環(huán)境中進(jìn)行，從而使鑄錠能夠在污染非常小的環(huán)境中生長。
在生長過程中，鑄錠可能正摻雜（P 型）、負(fù)摻雜（N 型）或根本不摻雜（本征），具體取決于最終用戶的應(yīng)用。FZ 鑄錠的高純度意味著硅具有最小的碳和氧污染，以及最少量的氮，以控制鑄錠內(nèi)的微缺陷。它們的特性允許更高效的摻雜過程，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生高達(dá) 50,000 ohm-cm 的電阻率測量值。
浮區(qū)晶圓通常用于制造分立功率器件、高效太陽能電池、射頻 （RF） 芯片和光學(xué)產(chǎn)品。這些晶片在高溫應(yīng)用中也很普遍，因?yàn)檠鹾吞嫉仍卦诟邷叵虏惶赡茏兊没钴S并損壞晶片。
Silicon Valley Microelectronics 提供直徑從 50mm 到 200mm 不等的 FZ 晶圓。也可根據(jù)要求提供本征晶片。
