Silicon Valley Microelectronics SVM 雙面拋光晶片、超扁平晶片

絕緣體上硅 (SOI) 晶圓

SOI 硅片于 20 世紀末問世，是一種帶有絕緣層的專用硅片。這種晶片可提高集成電路的性能和能效，是低功耗設備和高速處理器等應用的理想選擇。

可再生能源中的硅片

硅晶片也已成為可再生能源領域的基石，特別是在太陽能電池的生產中。將太陽光轉化為電能的光伏（PV）電池通常是在硅晶片上制造的。

制造商正在探索生產 18 英寸（450 毫米）晶圓的可能性，以進一步降低成本，提高芯片產量。與此同時，還在開發更薄的晶片，以盡量減少材料浪費，提高可持續性。

先進材料

雖然硅仍然是晶圓的主要材料，但碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等替代材料在大功率電子設備和射頻設備等特定應用領域正受到越來越多的關注

量子計算

量子計算機的開發依賴于高度專業化的硅晶片來支持量子比特。這些硅片必須滿足極其嚴格的純度和結構完整性要求。

50mm-300mm 硅片

硅谷微電子公司提供不同直徑的硅晶片（300 毫米、200 毫米、150 毫米、125 毫米、100 毫米、76 毫米和 50 毫米），規格多樣，適用于各種應用。

可提供的不同直徑產品的庫存：300毫米、200毫米、150?毫米、125毫米、100?毫米、76?毫米、50毫米

雙面拋光晶圓（DSP）

SVM采用同步雙面拋光技術，因此可以提供各種高質量的超平晶圓，以滿足每個客戶的精確可控平面度要求。

超扁平晶圓

SVM可供應各種高質量的超平晶圓，以滿足每位客戶的精確平面度控制要求。

區熔晶圓（FZ）

硅谷微電子公司提供直徑從 50 毫米到 200 毫米不等的浮區 (FZ) 晶圓。這些晶片具有雜質濃度低和耐高溫的特點。FZ 晶圓的特性使其在各種應用中都比 CZ 晶圓更具優勢。

低電阻率晶圓

硅谷微電子公司提供各種直徑（50mm至300mm）的N型和P型低電阻率晶片，有或沒有背封。我們可以實現電阻率<0.01 ohm-cm。

N 型晶圓

Silicon Valley Microlectronics 供應各種含磷/銻/砷摻雜劑的 N 型晶片，直徑從 50 毫米到 300 毫米不等。

Coinroll晶圓

硅谷微電子公司提供各種 200 毫米和 300 毫米硬幣卷晶片。