Silicon Valley Microelectronics SVM 單面拋光 (SSP) 和雙面拋光 (DSP) 晶圓襯底
Silicon Valley Microelectronics 使用同步雙面拋光技術,因此可以提供各種高質量的超平晶圓,以滿足每個客戶精確控制的平整度要求。
雙面拋光晶圓
Silicon Valley Microelectronics 的產品線包括單面拋光 (SSP) 和雙面拋光 (DSP) 晶圓襯底。半導體通常需要雙面拋光晶圓,微機電系統 (MEMS),以及需要具有嚴格控制平整度特性的晶圓的其他應用。雙面圖案和器件制造項目也需要它們。
隨著半導體器件的不斷縮小,晶圓的正面和背面都具有較高的表面質量變得越來越重要。目前,這些晶圓最常見于 MEMS、晶圓鍵合、絕緣體上硅 (SOI) 制造以及具有嚴格平整度要求的應用程序。Silicon Valley Microelectronics 承認半導體行業的發展,并致力于為所有客戶需求尋找長期解決方案。
SVM 擁有大量雙面拋光晶圓庫存,所有晶圓直徑從 50 毫米到 300 毫米不等。如果您的庫存中沒有您的規格,我們已經與眾多制造合作伙伴建立了長期關系,這些合作伙伴能夠定制制造晶圓以適應任何獨特的規格。雙面拋光晶圓采用半導體行業常用的硅、玻璃和其他材料。
直徑: 100 毫米 | 直徑: 150 毫米 | 直徑: 200 毫米 |
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硅片 | 硅片 | 硅片 |
類型/摻雜劑:N 或 P | 類型/摻雜劑:N 或 P | 類型/摻雜劑:N 或 P |
方向: <100> | 方向: <100> | 方向: <100> |
電阻率:0-100 ohm-cm | 電阻率:0-100 ohm-cm | 電阻率:0-100 ohm-cm |
厚度:525 +/- 20μm | 厚度:675 +/- 20 μm | 厚度:725 +/- 20 μm |
TTV:< 5μm | TTV:< 3μm | TTV:< 2μm |
STIR:根據要求提供 | 攪拌:< 2μm | 攪拌:< 2μm |
平面:1 或 2/ SEMI 標準 | 缺口:SEMI 標準 | 缺口:SEMI 標準 |
雙面拋光 | 雙面拋光 | 雙面拋光 |
所有工廠密封的 300mm 硅片都經過雙面拋光。SVM 提供低至 <0.05 μm 或更高的場地平整度測量,場地尺寸為 26mm x 8mm,100% PUA。