Silicon Valley Microelectronics SVM 低電阻率晶圓 N/P型摻雜晶圓

Silicon Valley Microelectronics 提供 50mm 至 300mm 各種直徑的 N 型和 P 型低電阻率晶圓，帶或不帶背封。我們可以實現電阻率 <0.01 ohm-cm。

絕緣體上硅 (SOI) 晶圓

SOI 硅片于 20 世紀末問世，是一種帶有絕緣層的專用硅片。這種晶片可提高集成電路的性能和能效，是低功耗設備和高速處理器等應用的理想選擇。

可再生能源中的硅片

硅晶片也已成為可再生能源領域的基石，特別是在太陽能電池的生產中。將太陽光轉化為電能的光伏（PV）電池通常是在硅晶片上制造的。

制造商正在探索生產 18 英寸（450 毫米）晶圓的可能性，以進一步降低成本，提高芯片產量。與此同時，還在開發更薄的晶片，以盡量減少材料浪費，提高可持續性。

先進材料

雖然硅仍然是晶圓的主要材料，但碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等替代材料在大功率電子設備和射頻設備等特定應用領域正受到越來越多的關注

量子計算

量子計算機的開發依賴于高度專業化的硅晶片來支持量子比特。這些硅片必須滿足極其嚴格的純度和結構完整性要求。

低電阻率（重摻雜）晶圓

低電阻率晶圓是重摻雜的晶圓。它們對電流流動的阻力低，并因其高導電性而被使用。這些晶片可以充電正 （P 型） 或負 （N 型）.P 型晶片摻雜了硼，其中有帶正電的原子，這些原子通過晶片傳輸電流。N 型晶圓帶負電，并使用電子將電流帶過晶圓。這些晶片可以摻雜磷、砷或銻以獲得負電荷。

大多數晶圓在制造過程中都摻雜了。其他的，如本征晶片，在制造后被引入摻雜劑中。有幾種技術可用于在晶圓制造后添加摻雜劑：空空間擴散、內晶格擴散和位置變化.所有這三種方法都涉及目標分子擴散到晶圓中。將摻雜劑引入晶圓的常見方法有三種：空空間擴散、內晶格擴散和位置變化。