Silicon Valley Microelectronics SVM 雙面拋光晶片、超扁平晶片

絕緣體上硅 (SOI) 晶圓

SOI 硅片于 20 世紀(jì)末問世，是一種帶有絕緣層的專用硅片。這種晶片可提高集成電路的性能和能效，是低功耗設(shè)備和高速處理器等應(yīng)用的理想選擇。

可再生能源中的硅片

硅晶片也已成為可再生能源領(lǐng)域的基石，特別是在太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)中。將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電能的光伏（PV）電池通常是在硅晶片上制造的。

制造商正在探索生產(chǎn) 18 英寸（450 毫米）晶圓的可能性，以進(jìn)一步降低成本，提高芯片產(chǎn)量。與此同時(shí)，還在開發(fā)更薄的晶片，以盡量減少材料浪費(fèi)，提高可持續(xù)性。

先進(jìn)材料

雖然硅仍然是晶圓的主要材料，但碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等替代材料在大功率電子設(shè)備和射頻設(shè)備等特定應(yīng)用領(lǐng)域正受到越來越多的關(guān)注

量子計(jì)算

量子計(jì)算機(jī)的開發(fā)依賴于高度專業(yè)化的硅晶片來支持量子比特。這些硅片必須滿足極其嚴(yán)格的純度和結(jié)構(gòu)完整性要求。

50mm-300mm 硅片

硅谷微電子公司提供不同直徑的硅晶片（300 毫米、200 毫米、150 毫米、125 毫米、100 毫米、76 毫米和 50 毫米），規(guī)格多樣，適用于各種應(yīng)用。

可提供的不同直徑產(chǎn)品的庫(kù)存：300毫米、200毫米、150?毫米、125毫米、100?毫米、76?毫米、50毫米

雙面拋光晶圓（DSP）

SVM采用同步雙面拋光技術(shù)，因此可以提供各種高質(zhì)量的超平晶圓，以滿足每個(gè)客戶的精確可控平面度要求。

超扁平晶圓

SVM可供應(yīng)各種高質(zhì)量的超平晶圓，以滿足每位客戶的精確平面度控制要求。

區(qū)熔晶圓（FZ）

硅谷微電子公司提供直徑從 50 毫米到 200 毫米不等的浮區(qū) (FZ) 晶圓。這些晶片具有雜質(zhì)濃度低和耐高溫的特點(diǎn)。FZ 晶圓的特性使其在各種應(yīng)用中都比 CZ 晶圓更具優(yōu)勢(shì)。

低電阻率晶圓

硅谷微電子公司提供各種直徑（50mm至300mm）的N型和P型低電阻率晶片，有或沒有背封。我們可以實(shí)現(xiàn)電阻率<0.01 ohm-cm。

N 型晶圓

Silicon Valley Microlectronics 供應(yīng)各種含磷/銻/砷摻雜劑的 N 型晶片，直徑從 50 毫米到 300 毫米不等。

Coinroll晶圓

硅谷微電子公司提供各種 200 毫米和 300 毫米硬幣卷晶片。