SG01S-BC18

• UVB+UVC
• 0.06毫米²探測器靈敏面積
• TO18密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
• 10毫瓦/厘米²在280納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。960納
• 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01M-BC18

• UVB+UVC
• 0.20毫米²探測器靈敏面積
• TO18密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
• 10毫瓦/厘米²在280納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。3330北美
• 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01M-BC5

• UVB+UVC
• 0.20毫米²探測器靈敏面積
• TO5密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
• 10毫瓦/厘米²在280納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。3330北美
• 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01D-BC18

• UVB+UVC
• 0.50毫米²探測器靈敏面積
• TO18密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
• 10瓦/厘米²在280納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。8 nA
• 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01D-BC18ISO90

• UVB+UVC
• 0.50毫米²探測器靈敏面積
• TO18密封金屬外殼，兩個隔離引腳，一個附加接地引腳
• 10瓦/厘米²在280納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。8 nA
• 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01D-B5

• 紫外線B
• 0.50毫米²探測器靈敏面積
• TO5密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
• 10瓦/厘米²在310納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。1 nA
• 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01L-BC18

• UVB+UVC
• 1.00毫米²探測器靈敏面積
• TO18密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
• 10瓦/厘米²在280納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。17 nA
• 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01L-BC5

• UVB+UVC
• 1.00毫米²探測器靈敏面積
• TO5密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
• 10瓦/厘米²在280納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。17 nA
• 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度

SG01XL-BC5

• UVB+UVC
• 7.60毫米²探測器靈敏面積
• TO5密封金屬外殼，1個隔離引腳和1個外殼引腳
• 10瓦/厘米²在280納米(峰值響應度)的照射下，電流約為。122 nA
• 具有PTB的SiC芯片報道了高輻射硬度++

Sglux四象限光電二極管、Sglux紫外光電二極管、SiC光電二極管芯片、寬帶紫外檢測