高級 PLD 系統

• 根據您的所有需求打造的多腔室、多技術 PLD 研究平臺
• 適用于異磁膜、陶瓷氧化物、高溫超導材料、金屬多層膜等的生長
• 垂直或水平?PLD 工藝幾何形狀
• 帶有激光束驅動系統的準分子或?YAG?激光器
• 1-4 軸，電動或手動，帶接收站的基板機械手，能夠達到高達 1400°C 的高溫（帶有由固體 SiC 制成的穩定、長壽命的加熱器元件）
• 不同的基板支架尺寸：從 10×10 mm 到 8 英寸
• 帶有原位目標交換系統的六位目標機械手
• 目標支架尺寸：1 或 2 英寸
• 全自動或手動靶材和基物轉移系統
  
• 帶電源的離子源，用于清潔、蝕刻或活化基板表面
• 極限壓力從?1×10?起^-8至 5×10^-11?mbar 的 mbar 取決于泵送系統?
• 主腔體提供不同標準類型和尺寸
• 泵送系統（基于前級泵、TMP、離子泵和TSP）
• 帶設備的真空計
• 樣品制備解決方案系列，例如手套箱、樣品切割器或專為樣品加熱、冷卻、清潔等而設計的設備齊全的制備室。
• 基于線性傳輸、徑向分配室或傳輸隧道的傳輸系統
• Viewports – 帶百葉窗的觀察窗
• 烘烤前帶有集成吹掃管的水冷系統
• Bakeout 系統?
• 模塊化框架，可進行擴展
• Synthesium 軟件和?HMI 面板用于完全控制沉積過程和設備
• 全自動過程驅動配方，將高度靈活的激光光學元件和工作壓力范圍相結合
• 用于電子單元的 19 英寸機柜

描述

全自動過程驅動配方結合了高度靈活的激光光學元件和工作壓力范圍，使系統處于獨特的位置，以支持前沿研究。

自動化系統能夠毫不費力地將目標物和基板從負載鎖轉移到 PLD 機械手站。在完全中央 PC 控制下，它提供對樣品和目標位置、傳輸和作運動以及相關聯鎖閥的位置狀態的完整遠程監測和控制。所有樣品信息（包括樣品識別號、UHV 系統中的歷史記錄等）都存儲在數據庫中，以供中央控制系統檢索和審查。

為了實現高效作，創新的傳輸解決方案具有一個帶有原位交換系統的六位目標縱器，并允許使用相同的腔室端口轉移目標和基材支架。

工藝腔室配有 UHV 標準的連接法蘭，用于連接當前和未來的設備，包括：

• 激光
• 具有一定溫度范圍的基板機械手，
• 目標縱器 /
• 帶電源的離子源，用于清潔、蝕刻或活化基板表面，
• 泵送系統（基于備用泵、TMP、離子泵和TSP泵），
• 帶設備的真空計，
• 用于線性傳輸系統的入口，例如來自負載鎖、徑向分配室、傳輸隧道或運輸箱，
• 帶 Z 機械手的石英天平，
• RHEED/TorrRHEED 與設備，
• 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近層或掩模，
• 額外的氣體劑量，例如。對于反應沉積過程，
• viewports – 帶百葉窗的觀察窗，
• 殘余氣體分析儀 /
• 光束通量監測器 /
• 診斷設備的加熱視口。

該系統的模塊化設計允許通過徑向分布傳輸解決方案或傳輸隧道與任何其他研究平臺進行組合和集成。?最終的設計和功能取決于系統配置。

泵送系統與工藝室的標準容積相結合，可達到 1×10 范圍內的極限壓力^-8– 5×10^-11mbar，具體取決于泵的配置。泵送系統是不同類型泵的組合，例如前級真空泵、離子泵、低溫泵、渦輪分子泵或鈦升華泵，根據特定應用需求單獨選擇以實現最佳泵送性能。

Synthesium 過程控制軟件允許各種類型和制造商的來源進行集成和完美合作，并實現輕松的配方編寫、自動生長控制和廣泛的數據記錄。允許基于 Tango 開源設備集成新的附加組件。

該系統配備了先進、易于使用的電源和電子設備，用于控制和支持離子源和整個包含的研究設備。

選項

• RHEED/TorrRHEED?帶設備
• 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近圖層或掩模
• 激光功率傳感器
• 額外的儲存室
• 內部防護罩
• 防止交叉污染的防護罩
• 真空手提箱（運輸箱），在負載鎖室中帶端口
• 額外的氣體計量，例如。用于反應沉積工藝
• 殘余氣體分析儀
• 光束通量監測器
• 診斷設備的加熱視窗
• 高溫計
• 橢圓儀
• 通過PLC單元和Synthesium軟件完全控制沉積過程和設備?