磁控濺射系統的獨立配置與我們經過現場驗證的標準解決方案相結合，使沉積工藝變得簡單、高效和可靠。?

根據您的需求，我們的標準 MS 系統可在單個腔室中靈活地使用多種濺射沉積技術。每個系統都有一個通用安裝法蘭，可配置為磁控濺射沉積（使用濺射或濺射配置）或任何其他薄膜沉積技術的組合。這使得PREVAC標準MS系統成為一個多功能、強大和簡單的裝置，可以滿足表面科學涂層領域的大多數需求。?

特征

• 獨立的 HV/UHV 系統，包括用于濺射工藝的高質量和高可用性解決方案
• 非常適合沉積金屬和介電薄膜
• 工藝腔室的標準尺寸：? 570 mm
• 主室源端口配置示例：6 個 DN100CF 端口，用于 2 英寸磁控管或 10 個 DN63CF（5 個磁控管同時工作），或 5 個 DN 160 ISO-K 端口，用于 3 英寸磁控管
• 極限壓力范圍 10^-7mbar 到 UHV
• 2 軸機械手，帶有由固體 SiC 制成的穩定、長壽命的加熱元件和接收站，可實現高達 1200 °C 的高溫?
• 各種基板支架尺寸（從 10×10 mm 到 6 英寸，可根據要求提供其他尺寸）和形狀
• 提供濺射和濺射布置
• 在?DC、RF?和脈沖 DC?模式下運行
• 通過質量流量控制實現?Ar 氣體自動加注?
• 可以使用原位表征工具，例如等離子體發射監測器 （PEM）、橢偏儀、反射儀、石英天平或高溫計溫度測量系統
• 多個源由單個電源和開關網絡提供，或由多個電源提供用于共沉積處理
• 前門通道和/或負載鎖定室，用于快速且簡單的基板加載
• 帶源的底部法蘭可以使用專用的升降小車完全訪問或更換
• 帶電子單元的 19 英寸機柜
• Synthesium?軟件用于完全控制沉積過程和設備

描述

該系統的主要優點之一是易于進入工藝室，這可以通過前門自動抬起頂部法蘭或通過底部法蘭完成，可以使用專門設計的手推車進行更換。因此，可以輕松快速地更換磁控管靶材、襯底支架機械手或訪問/更換整個底部法蘭。頂部法蘭的升降機構是電動的，并由傳感器提供全面保護。?

最終的設計和功能取決于系統配置。?

該系統配置了適當的密封和泵送系統，以實現 10 范圍內的基本真空^-7mbar（帶氟橡膠密封門），5×10^-8?mbar（帶氟橡膠密封和差動泵送門）或 UHV 壓力（無門，帶快速進入負載鎖以引入襯底）。?

工藝腔體配有不同尺寸的 UHV 標準連接法蘭，用于連接當前和未來的設備，包括：?

• 磁控管源 /?
• 襯底機械手 /?
• 用于清潔、蝕刻或活化基板表面的離子源，?
• 抽水系統 /?
• 線性傳輸系統或運輸箱的入口，?
• 氣體加注系統：工藝氣體多達 4 條管路，質量流量控制多達 4 種氣體，?
• 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近層或掩模，
• 殘余氣體分析儀 /
  
• 石英天平 /
• 高溫計 /
• 帶探測器的橢偏儀 /
• viewports （帶百葉窗的觀察窗口），
• 真空計。

泵送系統是不同類型泵的組合，例如前級真空泵、離子泵、低溫泵、渦輪分子泵或鈦升華泵，根據特定應用需求單獨選擇以實現最佳泵送性能。?

如果需要，系統的模塊化設計允許通過徑向分布傳輸解決方案或傳輸隧道與任何其他研究平臺進行組合和集成。?

Synthesium?過程控制軟件允許各種類型和制造商的來源進行集成和完美合作，并實現輕松的配方編寫、自動生長控制和廣泛的數據記錄。允許基于?Tango 開源設備集成新的附加組件。

該系統配備了先進、易于使用的電源和電子設備，用于控制和支持離子源和整個包含的研究設備。

選項

• 高溫計?– 數字高溫計用于大范圍的非接觸式點狀溫度測量，
• 橢偏儀?– 分析反射光以確定電介質、半導體和金屬薄膜的厚度和折射率。它使用以低入射角從膠片反射的光，
• 反射計?– 一種非侵入式工具，用于通過光譜反射系統快速、實時地測量沉積速率、薄膜厚度、層均勻性和光學常數，
• 等離子體發射監測器 （PEM）?– 用于實時等離子體監測而不影響其的光學發射光譜技術，
• 水冷護罩?– 作為選項，暗室可以配備 H₂O 護罩 當需要降低組件/過程溫度時，
• 屏蔽保護，防止交叉污染，
  
• 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近層或掩模，
• 額外的氣體計量，例如用于反應濺射工藝，
• 用于診斷設備的加熱視口，
• 機械手的 RF BIAS，
• 手套箱。

應用