磁控管源 |3 英寸靶材
磁控管源，用于在濺射工藝中涂覆具有高均勻性的薄層。適用于直徑為 3 英寸的目標(biāo)。
根據(jù)濺射過程所需的條件，我們提供兩種類型的源：B型和C型。
所有類型都與我們的 M600DC-PS 電源以及市場上的所有其他 DC、RF 和脈沖直流電源完全兼容。
源類型B
B 型磁控管源用于在濺射工藝中涂覆具有高均勻性的薄層。源與 UHV 條件兼容。磁控管源專為濺射磁性和鐵磁性材料而設(shè)計。它可以在厚達(dá) 7 mm 的目標(biāo)上運行。
| 安裝法蘭 | DN 160 立方英尺* |
| 最大功率（直流模式） | 600 瓦直流 ** |
| 最大功率（RF 模式） | 600 瓦射頻 ** |
| 最大電壓 DC | 1200 伏 |
| 連接器 DC/RF | 類型 7/16 |
| 目標(biāo) | |
| 形式 | 戒指 |
| 直徑 | 3 英寸（76.2 毫米）± 0.2 毫米 |
| 厚度 | 1 – 7 mm （磁性和非磁性） |
| 冷卻 | 間接 |
| ? | 最小 1 升/分鐘 |
| 最高進(jìn)水溫度 | < 28 °C |
| 最大水壓 | 3 巴 |
| 管徑 | ?6×1 毫米 PTFE |
| 磁鐵材料 | 釤鈷 （SmCo） |
| 磁體最高溫度 | 350°C |
| 內(nèi)部氣動百葉窗 | 是的 |
| 快門類型 | 圓頂型或平擺動型 |
| 原位傾斜模塊 | 是的，范圍 +45° ÷ -10° |
| 煙囪 | 是的 |
| 專用材料： | |
| 200 W 的典型速率 [nm/min]： | |
| 銅 | 18.72 nm/min（距離：170 mm;目標(biāo)厚度：3 mm）*** |
| 鈦 | 4.10 nm/min（距離：170 mm;目標(biāo)厚度：3 mm）*** |
| 鐵 | 5.16 nm/min（距離：170 mm;目標(biāo)厚度：3 mm）*** |
| 內(nèi)部進(jìn)氣口 | 是（VCR 標(biāo)準(zhǔn)） |
| 工作氣體 | 氦氣 |
| 最大工作壓力 | 5×10-3– 1×10-1毫巴 |
| 最佳工作壓力 | 5×10-3– 5×10-2毫巴 |
源類型C
C 型磁控濺射源與 RF 和 DC 兼容，可以沉積許多類別的材料：導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。磁控管源能夠產(chǎn)生均勻、均勻和小晶粒的薄膜;具有高密度（低空隙面積）、高鏡面反射率（反射率）以及無輻射損傷和斷裂鍵等優(yōu)點。
| 安裝法蘭 | DN 160 立方英尺* |
| 最大功率（直流模式） | 600 瓦直流 ** |
| 最大功率（RF 模式） | 600 瓦射頻 ** |
| 最大電壓 DC | 1200 伏 |
| 連接器 DC/RF | 類型 7/16 |
| 目標(biāo) | Keeper 標(biāo)準(zhǔn) |
| 形式 | 循環(huán) |
| 直徑 | 3 英寸（76.2 毫米）± 0.2 毫米 |
| 厚度 | 1 – 6 毫米 |
| 冷卻 | 間接 |
| ? | 最小 1 升/分鐘 |
| 最高進(jìn)水溫度 | < 28 °C |
| 最大水壓 | 3 巴 |
| 管徑 | ?6×1 毫米 PTFE |
| 磁鐵材料 | 硼化釹鐵 （NdFeB） |
| 磁體最高溫度 | 200 攝氏度 |
| 內(nèi)部氣動百葉窗 | 是的 |
| 快門類型 | 圓頂型或平擺動型 |
| 原位傾斜模塊 | 是的，范圍 +45° ÷ -10° |
| 煙囪 | 是的 |
| 專用材料： | |
| 200 W 的典型速率 [nm/min]： | |
| 銅 | 19.76 nm/min（距離：150 mm;目標(biāo)厚度：3 mm）*** |
| 鈦 | 4.08 nm/min（距離：150 mm;目標(biāo)厚度：6 mm）*** 4.32 nm/min（距離：150 mm;目標(biāo)厚度：3 mm）*** |
| 內(nèi)部進(jìn)氣口 | 是（VCR 標(biāo)準(zhǔn)） |
| 工作氣體 | 氦氣 |
| 最大工作壓力 | 5×10-3– 1×10-1毫巴 |
| 最佳工作壓力 | 5×10-3– 5×10-2毫巴 |
特征
- 帶或不帶原位傾斜模塊
- 安裝法蘭范圍
- 標(biāo)準(zhǔn)煙囪
- 氣動圓頂式或側(cè)擺式百葉窗
- 間接冷卻
選項
- 質(zhì)量流量控制器 （MKS MF1）
- 定制長度
- Z縱器
