半工業 MS 系統
半生產型 HV 系統，用于快速和可重復的薄層應用過程，并提供最大程度的自動化作支持。
工藝腔室設計允許結合多種沉積技術，其中包括：DC/RF 磁控濺射、反應濺射和使用電子束的蒸發。電子柜配有配備大型觸摸屏和用戶友好型軟件的集成計算機，將使基材的涂層過程順利而輕松。
特征
- 用于半生產涂層的自動化 HV 裝置
- 非常適合沉積金屬和介電薄膜
- 工藝腔室標準尺寸：? 570 mm
- 源配置：2 x 3“ 磁控管和?6 口袋電子束蒸發器（可提供其他配置）
- 極限壓力范圍< 3×10-7毫巴
- 2 軸機械手，帶有穩定、長壽命的加熱器元件，可實現高達 300 °C 的高溫
- 各種基板支架尺寸（從 10×10 mm 到 6 英寸，可根據要求提供其他尺寸）和形狀
- 磁控管源的濺射上和濺射下裝置可用
- 在?DC、RF?和脈沖 DC 模式下運行
- 通過質量流量控制實現?Ar 氣體自動加注
- 可以使用原位表征工具，例如等離子體發射監測器 （PEM）、橢偏儀、反射儀、石英天平或高溫計溫度測量系統
- 通過單個電源和開關網絡提供多個源，或由多個電源提供用于共沉積處理
- 前門通道可快速輕松地裝載基板
- 19 英寸機柜，配備先進的電子單元和先進的人機界面 （HMI） 設備，用于硬件輕松控制和監控過程
- 帶輪子的剛性主機架便于放置系統
描述
為方便用戶，主室可通過前門進入，因此可以輕松更改磁控管靶材、基板或維修/清潔腔室內部。主腔室由不銹鋼制成，可承受 <3*10 的極限壓力范圍-7mbar 的它標配兩個 3 英寸磁控管源（DC、RF）和一個 6 腔電子束蒸發器。可旋轉的機械手能夠作最大 6 英寸的樣品架。
該軟件主要針對：
該系統配備了先進、易于使用的電源和電子設備，用于控制和支持離子源和整個包含的研究設備。
選項
提供用于簡化濺射工藝的輔助設備范圍：?
- 高溫計?– 數字高溫計用于大范圍的非接觸式點狀溫度測量，
- 橢偏儀?– 分析反射光以確定電介質、半導體和金屬薄膜的厚度和折射率。它使用以低入射角從膠片反射的光，
- 反射計?– 非侵入式工具，用于通過光譜反射系統快速、實時測量沉積速率、薄膜厚度、層均勻性、光學常數，
- 等離子體發射監測器 （PEM）?– 用于實時等離子體監測而不影響其的光學發射光譜技術，
- 水冷護罩?– 作為選項，當需要降低組件/工藝溫度時，腔室可以配備 H2O 護罩，
- 屏蔽保護，防止交叉污染，
- 電動快門（跟隨基板）用于厚度梯度的濺射沉積，
- 額外的氣體計量，例如用于反應濺射工藝，
- 用于診斷的加熱視口，
- 手套箱。
應用
| 應用 | 例子 |
| 單層和多層導體薄膜（用于微電子和半導體器件）? | 鋁、鉬、鉬/金、鉭、鉭/金? |
| 用于半導體金屬化的阻擋層? | 鈦、W-鈦? |
| 磁性薄膜? | 鐵、鈷、鎳、鐵鋁硅、鈷鈮鈮鋯鋅、鈷鉻、鐵鎳鉻、鐵硅、鈷鎳鉻、鈷鎳硅? |
| 光學鍍膜 – 金屬（反射）? | 鉻、鋁、銀? |
| 光學鍍膜 – 電介質? | 氧化鎂、鈦2、ZrO2? |
| 光掩模? | 鉻、鉬、鎢? |
| 透明的氣體/蒸汽滲透屏障? | 鋁2O3? |
| 透明電導體? | 慣置物2、 SnO2，In-SN-O （ITO）? |
