微型 MBE 系統(tǒng)
一種簡(jiǎn)單且功能齊全的 Mini MBE 系統(tǒng)用于薄層的外延生長(zhǎng)。即插即用的緊湊設(shè)計(jì)。
如果您需要高質(zhì)量的沉積工藝,并結(jié)合低運(yùn)行成本的設(shè)計(jì)和小尺寸的設(shè)備,那么這就是答案。該裝置非常適合在研發(fā)裝置中快速測(cè)試新材料和技術(shù)。
分子束外延系統(tǒng)適用于來(lái)自 III/V、II/VI 族以及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)等的元素的生長(zhǎng)。
特征
- 即插即用結(jié)構(gòu)
- 經(jīng)濟(jì)的解決方案,專(zhuān)為空間有限的實(shí)驗(yàn)室而設(shè)計(jì)
- 適合 III/V、II/VI 族元素以及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)
- 多達(dá) 8 個(gè)蒸發(fā)源 DN 40CF?端口,帶電源
- 具有高精度溫度控制的 4 軸電動(dòng)或手動(dòng)機(jī)械手:電阻加熱高達(dá) 1000°C,EB 加熱高達(dá) 1400°C,水或 LN2冷卻(可根據(jù)要求提供更簡(jiǎn)單的機(jī)械手)
- 適用于?Flag 型底物/樣品架
- LN?的極限壓力2護(hù)罩: <2×10-10毫巴
- 小工藝腔?? 250 mm,帶可更換的下法蘭
- 泵送系統(tǒng)(基于前級(jí)泵、TMP、離子泵和TSP)
- 用于沉積速率測(cè)量和厚度監(jiān)測(cè)器的石英天平,帶有 Z 機(jī)械手,用于測(cè)量焦點(diǎn)的速率
- RHEED/TorrRHEED 帶設(shè)備
- 40CF 端口上的附加獨(dú)立快門(mén)
- 用于單個(gè)樣品架的裝載鎖室或用于 6 或 12 個(gè) Flag 型基板支架的轉(zhuǎn)盤(pán)(作為存儲(chǔ))
- 可靠、快速的線(xiàn)性傳輸系統(tǒng),從負(fù)載鎖到工藝室
- 帶設(shè)備的真空計(jì)
- Viewports – 帶百葉窗的觀察窗
- 烘烤前帶有集成吹掃管路的冷卻系統(tǒng)
- Bakeout 系統(tǒng)
- 可調(diào)節(jié)的剛性主機(jī)架,帶有大輪子,便于放置系統(tǒng)
- 帶電子單元的 19 英寸機(jī)柜
描述
該處理室包含8個(gè)用于蒸發(fā)源的端口,而基板階段適用于10×10毫米的樣品,具有加熱和旋轉(zhuǎn)選項(xiàng)。
沉積過(guò)程可以在很寬的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行控制(從 LN2高達(dá) 1400°C),并且可以完全通過(guò) PLC 控制器進(jìn)行軟件編程和控制。
工藝腔室配有 UHV 標(biāo)準(zhǔn)的連接法蘭,用于連接當(dāng)前和未來(lái)的設(shè)備,包括:
- 最多 8 個(gè)帶法蘭 DN40CF 的滲出池(高溫或低溫,單絲或多絲),
- 溫度范圍 (LN 起)2高達(dá) 1400°C)、
- 泵送系統(tǒng)(基于前級(jí)泵、TMP、離子泵和TSP),
- 帶設(shè)備的真空計(jì),
- 用于線(xiàn)性傳輸系統(tǒng)或運(yùn)輸箱的入口,
- 石英天平、帶 Z 機(jī)械手的厚度監(jiān)測(cè)器、
- RHEED/TorrRHEED 與設(shè)備,
- 電動(dòng)或手動(dòng)快門(mén)(跟隨基材),用于鄰近層或掩模,
- 額外的氣體劑量,例如。對(duì)于反應(yīng)沉積過(guò)程,
- viewports – 帶百葉窗的觀察窗,
- 殘余氣體分析儀 /
- 診斷設(shè)備的加熱視口。
最終的設(shè)計(jì)和功能取決于系統(tǒng)配置。
泵送系統(tǒng)與小體積工藝腔相結(jié)合,可在短時(shí)間內(nèi)達(dá)到極限壓力,其中極限壓力保證低于 5×10-10mbar 的
該系統(tǒng)配備了先進(jìn)、易于使用的電源和電子設(shè)備,用于控制和支持離子源和整個(gè)包含的研究設(shè)備。
選項(xiàng)
- 電動(dòng)或手動(dòng)快門(mén)(跟隨基材),用于鄰近圖層或掩模
- 防止交叉污染的防護(hù)罩
- 真空手提箱(運(yùn)輸箱),在負(fù)載鎖室中帶端口
- 額外的氣體計(jì)量,例如。用于反應(yīng)沉積工藝
- 殘余氣體分析儀
- 診斷設(shè)備的加熱視窗
- 高溫計(jì)
- 通過(guò)PLC單元和Synthesium軟件完全控制沉積過(guò)程和設(shè)備
應(yīng)用
應(yīng)用 | 來(lái)源 | |||
積液細(xì)胞 | 電子束蒸發(fā)器 | 帶閥裂解器源 | 升華源 | |
金屬 | 鋁、鈷、鎳、銅 (等) | 鉬、鈀、鉭、鎢、鉑 | ||
III/V 組 | 鈹、鋁、鎵、銦 | 磷、砷、銻 | 碳、硅摻雜 | |
第 II/VI 組 | 鈹、鋅、鎘 | 硫、硒、碲 | ||
第四組 | 鍺、錫、鉛 | 硅、鍺 | 硼、磷、銻 摻雜 | |
氧化物 | 錳、鐵、鎳、鎵、鎵、鉍、鉉 | |||
拓?fù)浣^緣體 (TI) | 鍺、錫、碲、鉍、GeSb | 硼 | 硒, 碲 |