iMBE 系統

• 全自動和軟件控制的 MBE 平臺
• 適合 III/V、II/VI 族元素以及其他異質結構的生長
• DN 63CF 端口中多達 10 個蒸發源，帶電源
• 帶電源的帶閥裂解源
• 帶電源的大功率電子槍
• 1-4 軸電動或手動機械手，帶接收站，能夠實現高達 1400°C 的高溫（帶有穩定、長壽命的固體 SiC 加熱器元件）
  
• 基板支架尺寸范圍：從 10×10 mm 到 4 英寸
• 極限壓力從 5×10 起^-10至 5×10^-11毫巴
• 工藝腔?450 mm，帶可更換的底部法蘭，最多可安裝 10 個端口 DN 63CF 用于蒸發源
• 帶門通道和差速泵送系統的工藝室，
• 泵送系統（基于前級泵、TMP、離子泵和TSP）
• 用于沉積速率測量和厚度監測器的石英天平，帶有 Z 機械手，用于測量焦點的速率
• RHEED/TorrRHEED 帶設備
• 63CF 端口上的附加獨立快門
• 用于樣品架裝載
  的?Load Lock 室
• 可靠、快速的線性傳輸系統，從負載鎖到工藝室
• 在₂散熱罩
• 內部防護罩?
• 帶設備的真空計
• Viewports – 帶百葉窗的觀察窗
• 烘烤前帶有集成吹掃管路的冷卻系統
• Bakeout 系統?
• 系統的可調節剛性主機架?
• 帶電子單元的 19 英寸機柜
• 通過PLC單元和Synthesium軟件完全控制沉積過程和設備

描述

處理室包含10個蒸發源端口，基底階段適用于直徑高達4英寸的樣品，具有加熱和旋轉選項。?它可以通過帶有線性傳輸系統的負載鎖室或直接通過差動泵門輕松進入。?沉積過程可以在很寬的溫度范圍內進行控制（從 LN₂高達 1400°C），并且可以完全通過 PLC 控制器進行軟件編程和控制。

工藝腔室配有 UHV 標準的連接法蘭，用于連接當前和未來的設備，包括：?

• 最多 10 個帶法蘭 DN 63CF 的光源（高溫或低溫，單絲或多絲），
• 帶法蘭的獨立百葉窗 DN 63CF，
• 帶電源的帶閥裂解器源，
• 帶電源的大功率 E-guns，
• 溫度范圍 （LN 起）₂高達 1400°C）、
• 泵送系統（基于備用泵、TMP、離子泵和TSP泵），
• 帶設備的真空計，
• 用于線性傳輸系統的入口，例如來自負載鎖、徑向分配室、傳輸隧道或運輸箱，
• 帶 Z 機械手的石英天平，
• RHEED/TorrRHEED 與設備，
• 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近層或掩模，
• 附加氣體加注系統，例如。對于反應沉積過程，
• viewports – 帶百葉窗的觀察窗，
• 殘余氣體分析儀 /
• 光束通量監測器 /
• 診斷設備的加熱視口。

使用專門設計的手推車可以很容易地拆卸/更換底部法蘭，因此為您的生長過程提供了各種不同的來源配置和選項。一個多功能手推車可用于更換底部法蘭、冷凍板和襯墊（便于清潔）。由于可以用源替換底部法蘭，因此一個沉積室可以適應不同的應用。

最終的設計和功能取決于系統配置。

如果需要，該系統的模塊化設計允許通過徑向分布傳輸解決方案或傳輸隧道與任何其他研究平臺組合和集成。

泵送系統與工藝腔室的標準容積相結合，可達到 5×10 范圍內的極限壓力^-10– 5×10^-11?mbar，具體取決于泵的配置。?泵送系統是不同類型泵的組合，例如前級真空泵、離子泵、低溫泵、渦輪分子泵或鈦升華泵，根據特定應用需求單獨選擇以實現最佳泵送性能。?

Synthesium?過程控制軟件允許各種類型和制造商的來源進行集成和完美合作，并實現輕松的配方編寫、自動生長控制和廣泛的數據記錄。允許基于?Tango 開源設備集成新的附加組件。

該系統配備了先進、易于使用的電源和電子設備，用于控制和支持離子源和整個包含的研究設備。

選項

• 額外的儲存室?
• 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近圖層或掩模
• 防止交叉污染的防護罩?
• 真空手提箱（運輸箱），在負載鎖室中帶端口
• 附加氣體加注系統，例如。用于反應沉積工藝
• 殘余氣體分析儀
• 光束通量監測器?
• 診斷設備的加熱視窗
• 高溫計

應用