磁控管源 |2 英寸靶材
磁控管源,用于在濺射工藝中涂覆具有高均勻性的薄層。適用于?2 英寸直徑的目標。
根據濺射過程所需的條件,我們提供兩種類型的源:B型?和C型。
所有類型都與我們的 M600DC-PS 電源以及市場上的所有其他 DC、RF 和脈沖直流電源完全兼容。
源類型A
A 型磁控管源用于在濺射工藝中涂覆具有高均勻性的薄層。源與 UHV 條件兼容。由于集成了原位傾斜系統,它可以用于標準和定制幾何形狀的腔室。通過使用圓頂型設計,我們最大限度地減少了打開百葉窗所需的空間。
安裝法蘭 | DN 63 CF、DN 100 ISO-K* |
最大功率(直流模式) | 400 瓦直流 ** |
最大功率(RF 模式) | 400 瓦射頻 ** |
最大電壓 DC | 1200 伏 |
連接器 DC/RF | 類型 7/16 |
目標 | |
形式 | 循環 |
直徑 | 2 英寸(50.8 毫米)± 0.2 毫米 |
厚度 | 1 – 6 毫米 |
冷卻 | 間接 |
? | 最小 1 升/分鐘 |
最高進水溫度 | < 28 °C |
最大水壓 | 3 巴 |
管徑 | ?6×1 毫米 PTFE |
磁鐵材料 | 硼化釹鐵 (NdFeB) |
磁體最高溫度 | 200°C |
內部氣動百葉窗 | 是的 |
快門類型 | 圓頂型或平擺動型 |
原位傾斜模塊 | 是的,范圍 +45° ÷ -10° |
煙囪 | 是的 |
專用材料: | |
200 W 的典型速率 [nm/min]: | |
銅 | 40.87 nm/min(距離:150 mm;目標厚度:3 mm)*** |
鈦 | 10.82 nm/min(距離:150 mm;目標厚度:3 mm)*** |
鐵 | 15.94 nm/min(距離:150 mm;目標厚度:1 mm)*** |
內部進氣口 | 是(VCR 標準) |
工作氣體 | 氦氣 |
最大工作壓力 | 5×10-3– 1×10-1毫巴 |
最佳工作壓力 | 5×10-3– 5×10-2毫巴 |
源類型B
B 型磁控管源用于在濺射工藝中涂覆具有高均勻性的薄層。源與 UHV 條件兼容。該源設計用于濺射磁性和鐵磁性材料。它可以在厚達 7 mm 的目標上運行。
安裝法蘭 | DN 63 立方英尺 |
最大功率(直流模式) | 400 瓦直流 ** |
最大功率(RF 模式) | 400 瓦射頻 ** |
最大電壓 DC | 1200 伏 |
連接器 DC/RF | 類型 7/16 |
目標 | |
形式 | 戒指 |
直徑 | 2 英寸(50.8 毫米)± 0.2 毫米 |
厚度 | 1 – 7 mm (磁性和非磁性) |
冷卻 | 間接 |
? | 最小 1 升/分鐘 |
最高進水溫度 | < 28 °C |
最大水壓 | 3 巴 |
管徑 | ?6×1 毫米 PTFE |
磁鐵材料 | 釤鈷 (SmCo) |
磁體最高溫度 | 350°C |
內部氣動百葉窗 | 是的 |
快門類型 | 圓頂型或平擺動型 |
原位傾斜模塊 | 是的,范圍 +45° ÷ -10° |
煙囪 | 是的 |
專用材料: | |
200 W 的典型速率 [nm/min]: | |
銅 | 32.84 nm/min(距離:160 mm;目標厚度:3 mm)*** |
鈦 | 10.07 nm/min(距離:160 mm;靶材厚度:3 mm)*** |
鐵 | 9.63 nm/min(距離:160 mm;目標厚度:3 mm)*** |
內部進氣口 | 是(VCR 標準) |
工作氣體 | 氦氣 |
最大工作壓力 | 5×10-3– 1×10-1毫巴 |
最佳工作壓力 | 5×10-3– 5×10-2毫巴 |
源類型C
C 型磁控管源與 RF 和 DC 兼容,可以沉積許多類別的材料:導體、半導體和絕緣體。該源可以創建均勻、均勻和小晶粒的薄膜;具有高密度(低空隙面積)、高鏡面反射率(反射率)以及無輻射損傷和斷裂鍵等優點。
安裝法蘭 | MS2/63C1?型號為 DN 63CF 或 DN 63ISO-K,MS2 /100C1?型號為 DN 100CF 或 DN 100ISO-K |
最大功率(直流模式) | 400 瓦直流 ** |
最大功率(RF 模式) | 400 瓦射頻 ** |
最大電壓 DC | 1200 伏 |
連接器 DC/RF | 類型 7/16 |
目標 | Keeper 標準 |
形式 | 循環 |
直徑 | 2 英寸(50.8 毫米)± 0.2 毫米 |
厚度 | 非磁性:1-6 mm;磁性:Fe 1mm、Ni 1mm |
冷卻 | 間接 |
? | 最小 1 升/分鐘 |
最高進水溫度 | < 28 °C |
最大水壓 | 3 巴 |
管徑 | ?6×1 毫米 PTFE |
磁鐵材料 | 硼化釹鐵 (NdFeB) |
磁體最高溫度 | 200 攝氏度 |
內部氣動百葉窗 | 是的 |
快門類型 | 圓頂型或平擺動型 |
原位傾斜模塊 | 是的,范圍 +45° ÷ -10° |
煙囪 | 是的 |
專用材料: | |
200 W 的典型速率 [nm/min]: | |
銅 | 34.70 nm/min(距離:100 mm;靶材厚度:3 mm)*** |
鈦 | 6.8 nm/min(距離:100 mm;目標厚度:3 mm)*** |
鐵 | 32.41 nm/min(距離:100 mm;目標厚度:1 mm)*** |
內部進氣口 | 是(VCR 標準) |
工作氣體 | 氦氣 |
最大工作壓力 | 5×10-3– 1×10-1毫巴 |
最佳工作壓力 | 5×10-3– 5×10-2毫巴 |
特征
- 帶或不帶原位傾斜模塊
- 安裝法蘭范圍
- 標準煙囪
- 氣動圓頂式或側擺式百葉窗
- 間接冷卻
選項
- 質量流量控制器 (MKS MF1)
- 定制長度
- Z縱器