電子束蒸發(fā)器 EBV 40A1
電子束蒸發(fā)器 EBV 40A1 專為超純亞單層和多層 MBE 薄膜生長而設計。
描述
精確定義的蒸發(fā)光束意味著在樣品上高度均勻地沉積，沉積面積由電子束蒸發(fā)器到樣品的距離以及選擇易于更換的出口孔之一來確定。電子束蒸發(fā)器 EBV 40A1 可選擇手動或自動快門。定制插入長度 190 – 345 mm（可根據(jù)要求提供其他插入長度）。
技術數(shù)據(jù)
| 安裝法蘭 | DN 40CF （可旋轉） |
| 溫度范圍（用于蒸發(fā)材料） | 160 °C – 2300 °C（鉬連接器為 3300 °C） |
| 燈絲電流 | 通常為 1.8 – 2.2 A，最大 2.3 A |
| 蒸發(fā)棒直徑 | 2 mm 標準（可根據(jù)要求提供其他），步長 2 mm，送絲 25 mm，線長 43 mm |
| 水冷 （必需） | 水流量：> 0.5 升/分鐘，溫度：20-30 °C，最大壓力：6 巴 |
| 出口孔徑直徑 | 集合 1：ID 4、ID 6、ID 7.4（標準） 集合 2：ID 10、ID 14、ID 19 |
| 快門類型 | 手動或氣動 |
| 權力 | – 50 W，用于高蒸氣壓材料 – 高達 200 W，用于坩堝和粗線 |
| 能量范圍 | 1 – 1500 伏 |
| 陰極類型 | 釷鎢 |
| 坩堝類型 （可選） | 克努森電池類型由以下材料制成：Mo、W、襯管 PBN、Al2O3 |
| 坩堝體積 | 0.07 毫升 |
| 蒸發(fā)材料 | 根據(jù)坩堝類型的所有典型材料 |
| 別人 | – 通過離子電流調節(jié)磁通量，包括電極、饋入件、顯示單元和 PID 調節(jié)器 – 后裝式蒸發(fā)器 |
| 插入長度 | 最小 190 mm （可根據(jù)要求提供） 外徑： 34.8 mm |
| 沉積區(qū)域 | 取決于工作距離（例如，距離 25 mm – ID 4 時為 6 mm，距離 75 mm – ID 19 時為 33 mm） |
| 工作距離 | 25 – 75 mm （最佳） |
| 烘烤溫度 | 最高 250°C |
| 工作壓力 | <10-5毫巴 |
特征
- 手動或電動氣動快門，集成磁通量監(jiān)視器
- W/Th-filament 用于從棒材或小型可導電坩堝中蒸發(fā)
- 多種可更換的出口孔
- 一體式水冷
- 適用于各種材料
- 獨特的高可靠性設計
- 極高的功率密度
- 極高的功率密度
選項
- 定制插入長度
- 帶或不帶集成手動/電動氣動快門
- 線性偏移
- 坩堝
