離子源 IS 40E1
離子源 IS 40E1 – 雙鏡頭、聚焦、萃取式離子槍。適用于深度剖深 (Ar),可與 O 等反應(yīng)性氣體配合使用2、 H2、碳?xì)浠衔锖退卸栊詺怏w。源能夠在建議的工作距離下柵格化 10 mm x 10 mm 的表面區(qū)域。它特別適用于 XPS、ISS 和 SIMS 中的深度剖析。該離子源還可用于樣品表面清潔。
技術(shù)數(shù)據(jù)
安裝法蘭 | DN 40CF (可旋轉(zhuǎn)) |
氣體 | Ar 和反應(yīng)氣體 (O2、 H2使用壽命縮短的碳?xì)浠衔铮?/span> |
能量范圍 | 0.15 keV – 5 keV |
掃描區(qū)域 | 10 mm x 10 mm(工作距離為 23 mm) |
電流密度 | 高達(dá) 4 mA / cm2(距離 23 mm) |
束流 | > 1 μA(距離 23 mm) |
陰極類型 | 氧化釔涂層銥絲 |
小錐角 | 50° |
插入長度 | 163 mm (標(biāo)準(zhǔn)), 外徑: 34 mm |
FWHM (英語) | 取決于工作距離 (例如,距離為 23 mm 時< 150 μm) |
典型工作距離 | 23 – 120 毫米 |
烘烤溫度 | 250 °攝氏度 |
工作壓力 | 10-8mbar(最大束流) |
特征
- 特殊配置的鼻錐
- 使用惰性氣體 (Ar) 和反應(yīng)氣體 (O作2、 H2,使用壽命縮短的碳?xì)浠衔铮?/span>
- 連續(xù)可變光斑尺寸
- 極其均勻的凹坑/光束輪廓
- 側(cè)可更換燈絲
- UHV 進(jìn)氣口
- 在腔室中保持 UHV 條件
- 集成掃描和偏轉(zhuǎn)裝置
- 入射電子束角校正(由 IS40-PS 電源提供)