低壓光學調制器

（橫向場ADP、KD*P及鈮酸鋰模擬調制器）

低壓光學調制器技術說明

ADP調制器

特性

• 光譜范圍：紫外至可見光（200-900nm）
• 溫度穩定性：高，但長期直流工作需恒溫環境
• 調制帶寬：僅受電路電容限制（無壓電諧振）
• 特殊設計：采用四晶體對稱排列補償走離效應和靜態雙折射

配置選項

• 標準寬帶增透鍍膜版本
• 液冷式超高通光版本（傳輸率>99%）

局限

• 因多晶體界面導致透射率略降（相比其他類型低約3-5%）

KD*P調制器

優勢

• 擴展波段：350-1200nm（近紅外兼容）
• 消光比：優于ADP型（典型>1000:1）
• 熱穩定性：單晶體結構帶來更優溫度耐受性

注意事項

• 存在壓電諧振現象（>100kHz需阻尼抑制）
• 可選干燥鍍膜或液冷封裝

適用場景

• 高功率脈沖激光調制（損傷閾值>500MW/cm2）

鈮酸鋰調制器

核心參數

• 工作波段：500-4000nm（避免<500nm使用）
• 晶體切割：
  • Z切標準版：零靜態雙折射，熱穩定性最佳
  • X切高敏版：需雙折射補償，適合相位調制

限制因素

• 強壓電效應限制時域性能（需避免機械振動耦合）
• 標準配置含密封窗片（防塵設計）

典型應用

• 中紅外激光外差探測系統
• 光纖通信馬赫-曾德爾調制

選型對比指南

（注：所有型號支持定制電極結構以適應特殊驅動需求）