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英國Leysop EM 200A、EM 400A、EM 200K、EM 400K、EM 200L、EM 400L低壓光學調制器

Low Voltage Optical Modulators

橫向場ADP、KD*P和鈮酸鋰模擬調制器

ADP調制器

ADP調制器可以被設計成在從紫外到可見光直到大約900nm的所有波長下工作，并且基本上沒有壓電諧振。這種調制器具有高度的溫度穩定性，但如果需要長期直流幅度，則應在恒溫環境下工作。調制頻率不受器件特性的限制，只受其電容的限制，因此取決于所用的驅動電路。寬帶AR涂層用于所有部件，或者我們可以提供流體填充型，包括超高透射型。

ADP設計的一個特征是，因為光傳播不是沿著對稱軸，非常規的偏振光線“離散”,所以必須使用四個匹配的晶體，適當地定向以補償離散和靜態雙折射。這確實對最大透射率有輕微影響，因為晶體表面的數量是其他類型調制器的兩倍。

KD*P

橫向KD*P電光調制器能夠提供比ADP型更高的熱穩定性，這主要是因為它們不需要相同的四晶體排列。透射范圍也擴展到大約1200nm，并且其消光比也優于從其ADP對應物獲得的消光比。然而，它確實顯示出壓電特性，因此對于數百kHz至低MHz范圍內的高頻調制來說不是一個很好的選擇，盡管使用諧振阻尼技術可以提高性能。這些設備也可以提供適當的AR涂層或流體填充干燥，包括超高傳輸版本。

鈮酸鋰

鈮酸鋰是高溫生長的光學材料，與ADP和KD*P晶體不同，它不是水溶性的。雖然它在500納米以下無法安全工作(在800納米以下，注意僅使用低光功率)，但在此范圍以上，它在4米以下具有良好的透明度。為了獲得最佳熱穩定性，最好使用Z形切割晶體，這是我們的標準設計，沒有靜態雙折射需要補償。然而，雙折射補償X形切割設計可以獲得更高的靈敏度。這種切割也用于不需要這種補償的相位調制器。

不幸的是，鈮酸鋰是非常強的壓電體，這限制了它在需要良好時間性能的某些應用中的使用。提供的電池是干燥的，在晶體和窗口上有合適的AR涂層(雖然技術上不總是需要，但用于密封電池以防灰塵等)。)

Leysop EM 200A、EM 400A、EM 200K、EM 400K、EM 200L低壓光學調制器產品規格：

器件提供標稱2mm和4mm的孔徑尺寸，但最大6mm也是可用的，并且大多數器件可配置有針對偏振調制(交叉偏振器之間的強度調制)或相位調制優化的晶體，在相位調制中，輸入偏振狀態保持不變，電池調制表觀光程長度。