描述
- 原子層沉積 （ALD） 是一種沉積薄原子層的工藝;
- ALD 是 CVD（化學氣相沉積）的一種特殊形式。原子層沉積 （ALD） 和通用 CVD 之間的主要區別在于前驅體按順序（而不是同時）引入反應室;
- 雖然比其他技術慢，但該工藝提供了更好的結構質量;
- 允許逐層沉積 TiO2、Al2O3、SiO2、ZnO、MgO、NiO、SnO2、Nb2O5。
薄膜沉積技術有哪些應用？
薄膜沉積技術應用最廣泛的領域是儲能和保護組件的生產和開發、半導體和納米技術。
因此，在有機光伏電池、鋰電池、OLED 或傳感器領域，手套箱必須集成許多可以通過法蘭連接的儀器。因此，可以在防止氧氣和濕氣的情況下沉積通常厚度為幾納米的材料薄膜。
一些薄膜沉積技術
原子層沉積 （ALD） 可以使用不同類型的設備，包括：
- 狹縫模具沉積設備，允許在大型基板上沉積;
- 真空蒸發設備，允許金屬或有機材料的蒸發以及在晶圓或襯底表面沉積薄層;
- 噴墨打印設備，用于在各種基材表面沉積一層薄薄的功能性液體，可以達到更大的尺寸（介電墨水、導電墨水）;
- 通過旋涂沉積薄層的設備，尤其專用于小基板或縮小尺寸的晶圓。
