InfraRed Associates,MCT-1000 前置放大器,用于MCT（HgCdTe）探測(cè)器,MCT-1000 是專門為光電導(dǎo)碲鎘汞（HgCdTe）探測(cè)器設(shè)計(jì)的。其低噪聲和高增益特性，結(jié)合精密的恒壓偏置。

MCT-1000 前置放大器（用于MCT（HgCdTe）探測(cè)器）

MCT-1000 是專門為光電導(dǎo)碲鎘汞（HgCdTe）探測(cè)器設(shè)計(jì)的。其低噪聲和高增益特性，結(jié)合精密的恒壓偏置，為InfraRed Associates, Inc. 的HgCdTe探測(cè)器提供了理想的配套解決方案。

MCT-1000 前置放大器為MCT探測(cè)器提供了所有優(yōu)化操作所需的接口電路，無需外部偏置或負(fù)載電阻。

MCT探測(cè)器通過通常隨探測(cè)器提供的SMA-BNC電纜連接到輸入BNC接口。需要正負(fù)15伏直流電源，輸出電流至少為+15V 200mA和-15V 100mA。探測(cè)器偏置由內(nèi)部提供，偏置電壓（或電流）通常可在0V至+2.5V之間調(diào)節(jié)。電氣帶寬內(nèi)部設(shè)置為1.5Hz至150KHz。其他帶寬可選，請(qǐng)聯(lián)系我們討論您的具體需求。

可調(diào)增益提供典型的50至1000倍信號(hào)幅度變化。偏置電壓和增益受探測(cè)器阻抗影響，由于所有探測(cè)器的電阻略有不同，最大偏置電壓和最大增益會(huì)存在輕微差異。

INSB-1000 前置放大器（用于InSb探測(cè)器）

INSB-1000 是專門為光伏銻化銦（InSb）探測(cè)器設(shè)計(jì)的。其低噪聲和高增益特性，結(jié)合零伏偏置，為InfraRed Associates, Inc. 的InSb探測(cè)器提供了理想的配套解決方案。

INSB-1000 前置放大器為InSb探測(cè)器提供了所有優(yōu)化操作所需的接口電路，無需外部偏置或負(fù)載電阻。前置放大器的性能受探測(cè)器噪聲限制。

InSb探測(cè)器通過通常隨探測(cè)器提供的SMA-BNC電纜連接到輸入BNC接口。需要正負(fù)15伏直流電源，輸出電流至少為100mA。電氣帶寬內(nèi)部設(shè)置為1.5Hz至150KHz。其他帶寬（最高可達(dá)5MHz）也可提供。

可調(diào)增益提供典型的5至100倍信號(hào)幅度變化。

我們還提供高速和反向偏置的特殊配置。請(qǐng)聯(lián)系我們討論您的具體需求。

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