Beam Imaging Solutions RFIS-100 離子源組件,射頻離子源
Beam Imaging Solutions （BIS）?推出新型 RFIS-100 離子源組件。RFIS-100 設(shè)計(jì)為可改裝到標(biāo)準(zhǔn)型號(hào) G-1 和 G-2 離子槍加速器系統(tǒng)。離子源使用 13.56 MHz 的射頻電源運(yùn)行，具有手動(dòng)調(diào)整匹配網(wǎng)絡(luò)，以產(chǎn)生電感耦合等離子體 （ICP）。與標(biāo)準(zhǔn) Colutron 熱陰極直流放電源相比，RF 離子源具有許多優(yōu)勢(shì)，包括更長(zhǎng)的維護(hù)間隔時(shí)間，尤其是在使用氧氣和活性氣體時(shí)，以及更高的束流。
Beam Imaging Solutions （BIS）?推出新型 RFIS-100 離子源組件。RFIS-100 設(shè)計(jì)為可改裝到標(biāo)準(zhǔn)型號(hào) G-1 和 G-2 離子槍加速器系統(tǒng)。離子源使用 13.56 MHz 的射頻電源運(yùn)行，具有手動(dòng)調(diào)整匹配網(wǎng)絡(luò)，以產(chǎn)生電感耦合等離子體 （ICP）。與標(biāo)準(zhǔn) Colutron 熱陰極直流放電源相比，RF 離子源具有許多優(yōu)勢(shì)，包括更長(zhǎng)的維護(hù)間隔時(shí)間，尤其是在使用氧氣和活性氣體時(shí)，以及更高的束流。除了能夠從氣體中產(chǎn)生離子外，新的離子源還具有通過在排放室中使用金屬靶材濺射源氣體來產(chǎn)生金屬離子的附加功能。尚未擁有 Colutron 離子槍的客戶可以購買新離子源，以適合他們自己的離子加速器系統(tǒng)。擁有 Colutron 離子槍的客戶將從離子槍上拆下標(biāo)準(zhǔn) Colutron 直流離子源和散熱器組件，并將射頻離子源直接連接到 Colutron 500 型絕緣體法蘭上。RF 源不需要 Colutron 散熱器即可運(yùn)行。
Beam Imaging Solutions 離子源組件技術(shù)信息
| Ion Source Flange | 6” (152mm) Conflat |
|---|---|
| RF Power Supply | 13.56MHz, 500W |
| Sputter Target, Metal Ions (Optional) | 200V, 0.5A |
| RF Antenna | 6.5 Turn, 2mm diameter Cu tube, water cooled, 1/8″ VCR |
| Gas Isolator | 10kV Isolation, 1/8” Swagelok input |
| RF Antenna Feedthrough | 5kV Isolation, Copper, 1/8″ VCR |
| Plasma Start Circuit | 12kV Isolation feedthrough |
| Water Cooling Requirement | 1 Liter/min (RF Antenna) |
| Force Air Cooling Requirement | Fan built into Plexiglas Enclosure for High Voltage Safety protection. (Fan Specification:47 CFM, 12VDC, 200mA) |
| RF Match Network | Two Vacuum variable capacitors (Tune, Load), 10-1200 pF, 4kV (Nominal), 6kV (Max), 75A (Manual Tune), Pmax=15kW (@40MHz) |
| RFMB-100 Match Box Input Connections (5) | 2 X 1/4” Swagelok, Water cooling, RF Antenna, 1/8” Swagelok, Source Gas Inlet, RF Type N, Male, BNC, Male, Sputter Target Supply |
| Model | RFIS-100, RFIS-101, RFIS-007, RFIS-010, RFMB-100, RFMB-200 |
Beam Imaging Solutions? 熒光屏規(guī)格：
產(chǎn)品原理圖
RF 與 DC 性能數(shù)據(jù)
RFIS-100 在客戶現(xiàn)場(chǎng)使用 Colutron 型號(hào) G-2 離子槍系統(tǒng)進(jìn)行了測(cè)試。離子源在 1、3、6 和 9 keV 下使用氖、氦和氬運(yùn)行。將輸出離子束流與在相同束流電位下使用相同氣體的標(biāo)準(zhǔn) Colutron 100 型離子源進(jìn)行了比較。平均而言，與標(biāo)準(zhǔn) Colutron 源相比，使用 RF-100 源運(yùn)行時(shí)，離子束電流水平高出 3 到 8 倍。下圖顯示了 RF-100 和 Colutron 100 型直流燈絲源在距離離子槍出口 44 厘米的直徑為 2.5 厘米的法拉第杯中收集的 9keV He+ 離子束電流。記錄了 RF 離子源的離子電流與 RF 功率的關(guān)系，以及 Colutron 源的陽極放電電流。
濺射金屬離子束（可選）
純金屬濺射靶材可作為生產(chǎn)金屬離子的選項(xiàng)。圓柱形靶材放置在放電室內(nèi)，并被來自支持氣體（通常是氬氣）的離子濺射。為了控制離子輸出，將靶材電偏置為負(fù)值，以提高支持氣體的正離子濺射速率。下面的實(shí)驗(yàn)圖顯示了 3keV 鎳金屬離子輸出相對(duì)于施加的目標(biāo)偏置電壓的近似線性增加。用于電流測(cè)量的 Beam Imaging Solutions?FC-1 法拉第杯具有 0.25 英寸的外徑孔徑，位于距離離子槍出口約 30 英寸處。
