Beam Imaging Solutions DCIS-100 直流離子源組件,BIS離子源

Beam Imaging Solutions （BIS）?推出新型 DCIS-100 離子源組件。該離子源為 Colutron 熱陰極放電類型，與?G-1 型和 G-2 型離子槍系統配合使用。該離子源類似于 Colutron 氮化硼離子源（100 型）設計，但由高度耐用的氧化鋁陶瓷 （Al₂O₃).與氮化硼源不同，DCIS-100 的初始放氣時間以分鐘為單位，而不是由于氮化硼的吸濕性而以小時為單位。氧化鋁的機械性能也比氮化硼更高。DCIS-100 也比 Colutron 100-Q 型石英離子源更耐用，并且能夠為更高電流的離子束提供更高的溫度和陽極放電電流。現在可以在放電室中產生軸向磁場的新型 Colutron 型散熱器可用。

離子源可作為完整組件（100 型）提供，帶有離子源（DCIS-101 型）、插座法蘭 （DCIS-102）、氣三通和固體電荷座。DCIS-101 離子源也可單獨提供，可插入標準 Colutron 插座法蘭。也可提供帶柱溫箱的離子源。該烘箱用于蒸發高達 2000C 的固體材料。

傳統的 Colutron 100-Q 型離子源和備件現在也可從 Beam Imaging Solutions 獲得。許多部件，如燈絲、陽極、接觸線和源插座法蘭，都可以在傳統的石英和陶瓷版本之間互換。氮化硼版本的零件也可用。

Beam Imaging Solutions離子源規格：