Beam Imaging Solutions BOS-40-IW光束質量分析儀,真空組件

Beam Imaging Solutions BOS-40-IW光束質量分析儀,真空組件

Beam Imaging Solutions （BIS）?推出了 90 度 BOS，它允許對與成像平面成 90 度的光束進行遠程成像。BOS-40-IW 可以連接到線性運動饋通件上，并放置在光束內或從光束中移出，從而在真空室深處進行遠程成像。成像是通過將標準 BOS MCP/熒光屏堆棧安裝到金屬外殼上來完成的，金屬外殼具有相對于成像平面成 90 度安裝的鏡子。外殼采用楔形設計，以最大限度地減小成像儀的物理尺寸，并具有連接到線性運動饋通的便捷點。電氣連接是通過將柔性電氣絕緣電線連接到電氣饋通件的楔塊上的連接塊來實現的。在標準形式中，BOS-IW 裝置可與 MCP/熒光粉組件一起安裝在帶有電氣連接塊的楔形外殼上。還提供 BOS-IW 套件，包括帶有電氣饋入裝置、視口、線性運動饋入裝置和攝像系統的 BOS-IW 裝置。

Beam Imaging Solutions BOS-40-IW光束質量分析儀技術信息

成像區域直徑 40mm
MCP（標準）1.975 英寸直徑 （BOS-40-IW），10 微米通道直徑，成像級，40 毫米有效面積，12 微米間距，8° 偏置角，46：1 縱橫比（標準，BOS-40-IW），最大增益：2 x 104（單板，標準）1000V > 107（V 形，OPT-01），2000V
熒光屏（標準）P-43 帶鋁涂層。P-43 峰值波長：λ= 545 nm。
電源要求0 – + 1000V，1mA 單 MCP（標準），0 – + 2000V，1mA 雙 MCP（選件 01），0 – + 5000V，1 mA 熒光屏
光束能量范圍1 eV 至 50 keV 以上
束流范圍< 10 μA（帶可選的光束衰減格柵）
真空運行 MCP 需要 1 x 10-6 Torr 或更高溫度，兼容 UHV，最高烘烤溫度 300 C

Beam Imaging Solutions BOS-40-IW光束質量分析儀可選設備

雙 MCP 系統、MCP 涂層和 MCP 類型：

  • 型號 BOS-40-IW，帶 BOS-40-IW-OPT-01 雙 MCP 選項
  • 帶有可選涂層的 MCP，用于增強紫外線和 X 射線（KBr、CsI、Cu、CuI、MgO、Au、MgF2）的成像
  • 具有高增益和分辨率的 MCP
  • 具有匹配特性阻抗的 MCP

熒光屏

P-43 是標準配置，但也有其他熒光粉可供選擇，包括 P1、P11、P15、P20、P22、P24、P31、P45、P46、P47、P48 和 P53。有關更多信息，請參閱我們的熒光粉屏蔽頁面。篩網具有標準的鋁制涂層，但也提供銦錫氧化物 （ITO） 底涂層。

圖像處理系統（可選）

  • 型號 IPS-1（圖像采集卡（PCI 總線）、電纜、軟件）

電源（可選）

  • 型號 MCPPS-1 （MCP 電源，單 MCP，0-1kV）
  • 型號 MCPPS-2 （MCP 電源， 雙 MCP， 0-2kV）
  • 型號 PHSPS-1 （熒光屏電源 0-5kV）

其他選項

  • 光束衰減網格（90%、99%、99.9%）
  • 在確定所需的衰減網格數量時，請使用以下標準：
    • 離子束大于 3.2 nA/mm2，光束衰減 90%（1 格）
    • 離子束大于 31.8 nA/mm2，束流衰減為 99%（2 個網格）
    • 離子束大于 318.nA/mm2，光束衰減為 99.9%（3 個網格）
  • 電子抑制網格

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