Beam Imaging Solutions BOS-18-IW光束輪廓分析儀,BIS電子束觀察系統(tǒng)

Beam Imaging Solutions BOS-18-IW光束輪廓分析儀,BIS電子束觀察系統(tǒng)

Beam Imaging Solutions （BIS）?推出了 90 度 BOS，它允許對與成像平面成 90 度的光束進行遠(yuǎn)程成像。BOS-18-IW 可以連接到線性運動饋入件，并放置在光束內(nèi)外，從而在真空室深處進行遠(yuǎn)程成像。

Beam Imaging Solutions （BIS）?推出了 90 度 BOS，它允許對與成像平面成 90 度的光束進行遠(yuǎn)程成像。BOS-18-IW 可以連接到線性運動饋入件，并放置在光束內(nèi)外，從而在真空室深處進行遠(yuǎn)程成像。成像是通過將標(biāo)準(zhǔn) BOS MCP/熒光屏堆棧安裝到金屬外殼上來完成的，金屬外殼具有相對于成像平面成 90 度安裝的鏡子。外殼采用楔形設(shè)計，以最大限度地減小成像儀的物理尺寸，并具有連接到線性運動饋通的便捷點。

電氣連接是通過將柔性電氣絕緣電線連接到電氣饋通件的楔塊上的連接塊來實現(xiàn)的。在標(biāo)準(zhǔn)形式中，BOS-IW 裝置可與 MCP/熒光粉組件一起安裝在帶有電氣連接塊的楔形外殼上。還提供 BOS-IW 套件，包括帶有電氣饋入裝置、視口、線性運動饋入裝置和攝像系統(tǒng)的 BOS-IW 裝置。

Beam Imaging Solutions BOS-18-IW光束輪廓分析儀技術(shù)信息

成像區(qū)域直徑 18 毫米
MCP（標(biāo)準(zhǔn)）0.975 英寸直徑 （BOS-18-IW），10 微米通道直徑，成像級，18 毫米有效面積，12 微米間距，5° 偏角，40：1 縱橫比（標(biāo)準(zhǔn)，BOS-18-IW），最大增益：2 x 104（單板，標(biāo)準(zhǔn)）1000V > 107（V 形，OPT-01），2000V
熒光屏（標(biāo)準(zhǔn)）P-43 帶鋁涂層。P-43 峰值波長：λ= 545 nm。
電源要求0 – + 1000V，1mA 單 MCP（標(biāo)準(zhǔn)），0 – + 2000V，1mA 雙 MCP（選件 01），0 – + 5000V，1 mA 熒光屏
光束能量范圍1 eV 至 50 keV 以上
束流范圍< 10 μA（帶可選的光束衰減格柵）
真空運行 MCP 需要 1 x 10-6 Torr 或更高溫度，兼容 UHV，最高烘烤溫度 300 C

Beam Imaging Solutions BOS-18-IW光束觀測系統(tǒng)可選設(shè)備

雙 MCP 系統(tǒng)、MCP 涂層和 MCP 類型：

  • 型號 BOS-18-IW，帶 BOS-18-IW-OPT-01 雙 MCP 選項
  • 帶有可選涂層的 MCP，用于增強紫外線和 X 射線（KBr、CsI、Cu、CuI、MgO、Au、MgF2）的成像
  • 具有高增益和分辨率的 MCP
  • 具有匹配特性阻抗的 MCP
  • 線性運動饋通、電氣饋通、視口（有關(guān)更多信息，請聯(lián)系 BIS）
  • BOS-18-IW 帶可選的線性運動饋通和光束衰減網(wǎng)格

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