Beam Imaging Solutions BOS-40-IW光束質(zhì)量分析儀,真空組件

Beam Imaging Solutions BOS-40-IW光束質(zhì)量分析儀,真空組件

Beam Imaging Solutions （BIS）?推出了 90 度 BOS，它允許對(duì)與成像平面成 90 度的光束進(jìn)行遠(yuǎn)程成像。BOS-40-IW 可以連接到線性運(yùn)動(dòng)饋通件上，并放置在光束內(nèi)或從光束中移出，從而在真空室深處進(jìn)行遠(yuǎn)程成像。成像是通過(guò)將標(biāo)準(zhǔn) BOS MCP/熒光屏堆棧安裝到金屬外殼上來(lái)完成的，金屬外殼具有相對(duì)于成像平面成 90 度安裝的鏡子。外殼采用楔形設(shè)計(jì)，以最大限度地減小成像儀的物理尺寸，并具有連接到線性運(yùn)動(dòng)饋通的便捷點(diǎn)。電氣連接是通過(guò)將柔性電氣絕緣電線連接到電氣饋通件的楔塊上的連接塊來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在標(biāo)準(zhǔn)形式中，BOS-IW 裝置可與 MCP/熒光粉組件一起安裝在帶有電氣連接塊的楔形外殼上。還提供 BOS-IW 套件，包括帶有電氣饋入裝置、視口、線性運(yùn)動(dòng)饋入裝置和攝像系統(tǒng)的 BOS-IW 裝置。

Beam Imaging Solutions BOS-40-IW光束質(zhì)量分析儀技術(shù)信息

成像區(qū)域直徑 40mm
MCP（標(biāo)準(zhǔn)）1.975 英寸直徑 （BOS-40-IW），10 微米通道直徑，成像級(jí)，40 毫米有效面積，12 微米間距，8° 偏置角，46：1 縱橫比（標(biāo)準(zhǔn)，BOS-40-IW），最大增益：2 x 104（單板，標(biāo)準(zhǔn)）1000V > 107（V 形，OPT-01），2000V
熒光屏（標(biāo)準(zhǔn)）P-43 帶鋁涂層。P-43 峰值波長(zhǎng)：λ= 545 nm。
電源要求0 – + 1000V，1mA 單 MCP（標(biāo)準(zhǔn)），0 – + 2000V，1mA 雙 MCP（選件 01），0 – + 5000V，1 mA 熒光屏
光束能量范圍1 eV 至 50 keV 以上
束流范圍< 10 μA（帶可選的光束衰減格柵）
真空運(yùn)行 MCP 需要 1 x 10-6 Torr 或更高溫度，兼容 UHV，最高烘烤溫度 300 C

Beam Imaging Solutions BOS-40-IW光束質(zhì)量分析儀可選設(shè)備

雙 MCP 系統(tǒng)、MCP 涂層和 MCP 類型：

  • 型號(hào) BOS-40-IW，帶 BOS-40-IW-OPT-01 雙 MCP 選項(xiàng)
  • 帶有可選涂層的 MCP，用于增強(qiáng)紫外線和 X 射線（KBr、CsI、Cu、CuI、MgO、Au、MgF2）的成像
  • 具有高增益和分辨率的 MCP
  • 具有匹配特性阻抗的 MCP

熒光屏

P-43 是標(biāo)準(zhǔn)配置，但也有其他熒光粉可供選擇，包括 P1、P11、P15、P20、P22、P24、P31、P45、P46、P47、P48 和 P53。有關(guān)更多信息，請(qǐng)參閱我們的熒光粉屏蔽頁(yè)面。篩網(wǎng)具有標(biāo)準(zhǔn)的鋁制涂層，但也提供銦錫氧化物 （ITO） 底涂層。

圖像處理系統(tǒng)（可選）

  • 型號(hào) IPS-1（圖像采集卡（PCI 總線）、電纜、軟件）

電源（可選）

  • 型號(hào) MCPPS-1 （MCP 電源，單 MCP，0-1kV）
  • 型號(hào) MCPPS-2 （MCP 電源， 雙 MCP， 0-2kV）
  • 型號(hào) PHSPS-1 （熒光屏電源 0-5kV）

其他選項(xiàng)

  • 光束衰減網(wǎng)格（90%、99%、99.9%）
  • 在確定所需的衰減網(wǎng)格數(shù)量時(shí)，請(qǐng)使用以下標(biāo)準(zhǔn)：
    • 離子束大于 3.2 nA/mm2，光束衰減 90%（1 格）
    • 離子束大于 31.8 nA/mm2，束流衰減為 99%（2 個(gè)網(wǎng)格）
    • 離子束大于 318.nA/mm2，光束衰減為 99.9%（3 個(gè)網(wǎng)格）
  • 電子抑制網(wǎng)格

Related posts